Servidores y almacenamiento
Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung SSD MZ-V9S1T0, 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC con SKU MZ-V9S1T0BW
Stock disponible en nuestros almacenes
Financiado desde: 6,11 € /mes
sábado, 15 de noviembre de 2025
Solicita información en caso de necesitar envío urgente.
Los productos a medida solo admiten devolución en caso de defecto de fabricación.
Métodos de pago:
Descripción del producto
Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
La unidad Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC te ofrece el mejor rendimiento y almacenamiento para tus necesidades informáticas. Este SSD Samsung 1TB combina las últimas tecnologías en almacenamiento rápido y eficiente, destacándose por su impresionante capacidad de 1 TB, un formato M.2 compacto y la interfaz PCI Express 4.0. Con velocidades de lectura y escritura que alcanzan 7150 MB/s y 6300 MB/s respectivamente, el Samsung MZ-V9S1T0 garantiza una experiencia de usuario sin igual, ideal para setups de gaming y aplicaciones profesionales.
Beneficios del producto
La unidad Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC ofrece múltiples ventajas para usuarios que demandan alto rendimiento. Gracias a su interfaz PCIe 4.0, este SSD reduce notablemente los tiempos de carga, permitiendo transferencias de datos ultrarrápidas. Su capacidad de 1 TB brinda espacio más que suficiente para almacenar juegos, aplicaciones y archivos masivos. Además, la tecnología V-NAND de Samsung asegura durarabilidad y eficiencia energética, prolongando la vida útil del producto.
Contexto de usuario
El SSD Samsung MZ-V9S1T0 1 TB es perfect o para gamers, creadores de contenido y profesionales que dependen de la velocidad y confiabilidad en sus equipos. Este SSD es ideal para aquellos que buscan actualizar sus sistemas actuales ya que mejora significativamente el arranque y el rendimiento general del equipo. Con su alta capacidad de 1 TB y su rapidez en lectura y escritura, esta unidad garantiza un flujo de trabajo más eficiente y productivo.
Experiencia de usuario
La experiencia de uso del Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC es excepcionalmente fluida gracias a su rapidez y fiabilidad. El proceso de instalación es simple y rápido, permitiéndote disfrutar de sus beneficios casi de inmediato. La inmejorable velocidad de lectura de 7150 MB/s y de escritura de 6300 MB/s hace que la transferencia y el acceso a archivos pesados sean instantáneos. Además, el soporte de tecnologías como S.M.A.R.T. y TRIM garantiza una optimización continua del rendimiento.
Razones para comprar
Considera adquirir la unidad Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC por las siguientes razones:
Equipado con la tecnología NVMe PCIe 4.0, garantiza transferencias de datos ultrarrápidas y tiempos de carga reducidos.
Con 1 TB de capacidad de almacenamiento, ideal para aplicaciones de alto rendimiento y almacenamiento masivo.
La tecnología V-NAND de Samsung asegura menor consumo de energía y alta durabilidad.
Perfecto para PCs y sistemas de gaming avanzados, fácil de instalar en cualquier sistema compatible M.2.
Preguntas frecuentes
A continuación, respondemos algunas de las preguntas más frecuentes sobre el Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC.
¿Cuánto espacio de almacenamiento tiene el Samsung MZ-V9S1T0?
La unidad tiene una capacidad de almacenamiento total de 1 TB.
¿Cuál es la velocidad de lectura y escritura?
El Samsung MZ-V9S1T0 tiene una velocidad de lectura de 7150 MB/s y una velocidad de escritura de 6300 MB/s.
¿Es compatible con mi PC?
Si tu sistema usa una interfaz M.2 PCI Express 4.0, deberías poder instalar y usar el Samsung MZ-V9S1T0 sin problemas.
¿Qué tipo de memoria utiliza este SSD?
El Samsung MZ-V9S1T0 utiliza tecnología de memoria V-NAND TLC para ofrecer un rendimiento óptimo.
¿Tiene soporte para encriptación de hardware?
Sí, el Samsung MZ-V9S1T0 cuenta con encriptación de hardware para mayor seguridad de tus datos.
Especificaciones del producto
Memoria
|
SDD, capacidad |
1000 GB |
|
NVMe |
Sí |
|
Tipo de memoria |
V-NAND TLC |
Características
|
Componente para |
PC |
|
Interfaz |
PCI Express 4.0 |
|
Velocidad de lectura |
7150 MB/s |
|
Velocidad de escritura |
6300 MB/s |
|
Lectura aleatoria (4KB) |
850000 IOPS |
|
Escritura aleatoria (4KB) |
1350000 IOPS |
|
Tiempo medio entre fallos |
1500000 h |
|
Algoritmos de seguridad soportados |
256-bit AES |
|
Encriptación de hardware |
Sí |
|
Soporte S.M.A.R.T. |
Sí |
|
Soporte TRIM |
Sí |
Condiciones Ambientales
|
Intervalo de temperatura operativa |
0-70 °C |
Peso y Dimensiones
|
Ancho |
80.15 mm |
|
Profundidad |
2.38 mm |
|
Altura |
22.15 mm |
|
Peso |
9 g |

Valoraciones
No hay valoraciones aún.